一种功率mosfet器件栅电极结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体制造技术领域，特别涉及一种功率MOSFET器件栅电极结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中，功率MOSFET器件，如图1所示，其栅电极区域只是简单的将圆胞区域每个圆胞的多晶栅引出来通过金属互连在一起。这样，在电路中一般都是在功率MOSFET器件驱动端加入一个栅极电阻来调整器件开关过程中的电压尖峰。现有功率MOSFET器件栅电极只是作为圆胞区栅极的引出，在实际的应用电路中一般都是需要在驱动端加一个驱动电阻来调节开关过程中电压尖峰问题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种功率MOSFET器件栅电极结构。
[0004]本实用新型的技术方案是，一种功率MOSFET器件栅电极结构，所述功率MOSFET器件栅电极结构具有长条状多晶，该长条状多晶将所述功率MOSFET器件栅电极引线区域和该功率MOSFET器件栅电极的打线区域连接在一起，所述长条状多晶的电阻作为栅极电阻。
[0005]所述长条状多晶与所述功率MOSFET器件栅极多晶同时工艺。
[0006]本实用新型提出一种集成有栅极电阻的功率MOSFET器件栅电极结构。利用长条状的多晶电阻来作为栅极电阻。因为改长条状的多晶是和栅极多晶同时工艺的，故不会增加功率MOSFET器件的制造成本，只是设计上的改动。有了这种结构，功率MOSFET器件中就能在不增加成本的前提下集成一个特定阻值的栅极电阻，从而在电路应用中就可以省略掉功率MOSFET器件驱动端的栅极电阻，节省电路成本。该栅极电阻可以有效的降低器件在开通过程中的栅极电压尖峰，从而起到很好的保护器件栅极的作用。
【附图说明】
[0007]通过参考附图阅读下文的详细描述，本实用新型示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本实用新型的若干实施方式，其中:
[0008]图1是现有的功率MOSFET器件结构图
[0009]图2是本实用新型专利的工艺流程剖面图，
[0010]其中，I——功率MOSFET器件栅电极区域，
[0011 ] 2——功率MOSFET器件源极区域，
[0012]3——功率MOSFET器件外围终端区域，
[0013]4——圆胞区域的多晶栅，
[0014]5——功率MOSFET器件栅电极引线区域，
[0015]6--长条状多晶，
[0016]7——功率MOSFET器件栅电极打线区域。
【具体实施方式】
[0017]如图2所示，集成有栅极电阻的功率MOSFET器件栅电极结构，通过长条状多晶将功率MOSFET器件栅电极引线区域和功率MOSFET器件栅电极打线区域连接在一起。利用这个长条状多晶电阻作为栅极电阻，长条状多晶是和圆胞区域的多晶栅极同时工艺制制造的，故不会增加工艺步骤，也不会增加工艺成本。
[0018]现有功率MOSFET器件栅电极只是作为圆胞区栅极的引出，在实际的应用电路中一般都是需要在驱动端加一个驱动电阻来调节开关过程中电压尖峰问题。本实用新型在不增加功率MOSFET器件制造成本的前提下，利用长条状的多晶电阻作为栅极电阻。
[0019]值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干【具体实施方式】描述了本实用新型创造的精神和原理，但是应该理解，本实用新型创造并不限于所公开的【具体实施方式】，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本实用新型创造旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。
【主权项】
1.一种功率MOSFET器件栅电极结构，其特征在于，所述功率MOSFET器件栅电极结构具有长条状多晶，该长条状多晶将所述功率MOSFET器件栅电极引线区域和该功率MOSFET器件栅电极的打线区域连接在一起，所述长条状多晶的电阻作为栅极电阻。2.如权利要求1所述的功率MOSFET器件栅电极结构，其特征在于，所述长条状多晶与所述功率MOSFET器件栅极多晶同时工艺。
【专利摘要】本实用新型公开了一种功率MOSFET器件栅电极结构，所述功率MOSFET器件栅电极结构具有长条状多晶，该长条状多晶将所述功率MOSFET器件栅电极引线区域和该功率MOSFET器件栅电极的打线区域连接在一起，所述长条状多晶的电阻作为栅极电阻。所述长条状多晶与所述功率MOSFET器件栅极多晶同时工艺。
【IPC分类】H01L29/423
【公开号】CN204760387
【申请号】CN201520541311
【发明人】陆怀谷
【申请人】深圳市谷峰电子有限公司, 香港谷峰半导体有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年7月23日