技术编号：9165499
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。能源危机下光伏产业发展迅速，进一步推广光伏应用的关键是提高电池光电转换效率，降低电池成本。异质结太阳能电池是Si衬底上生长非晶Si薄层的异质结电池，具有结构简单、工艺温度低、转换效率高，温度特性好的特点，是适合于大规模推广应用的高效电池之一，具有很好的发展前景。Si衬底上的异质结太阳能电池，以η型Si衬底为例，在η型Si衬底受光面上先后沉积薄层本征非晶Si层及P型非晶Si发射极层，形成带有薄本征非晶Si夹层的异质PN结；在背场，薄本征a-S1H及η型a-S...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。