技术编号:9201478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为NAND(N0T_AND,与非)型闪速存储器,提出有在垂直方向积层且通过一次加工而形成的三维积层型存储器(BiCSBit Cost Scalable (位成本可变))。对于该三维积层型存储器,提出有沿着I字状的存储器孔形成存储器串的I字型BiCS、及沿着U字状的存储器孔形成存储器串的U字型BiCS (p-BiCS)。发明内容本发明提供一种加工难度低且谋求动作控制性的提高的非挥发性半导体存储装置。根据本实施方式的非挥发性半导体存储装置,其包括第I存储器串...
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