技术编号:9201700
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 目前,在CM0SFET (互补金属氧化物半导体场效应晶体管)制造工艺的研究可大概 分为两个方向,即前栅工艺和后栅工艺。 后栅工艺目前广泛应用于先进的集成电路工艺制造中,其通常是先形成伪栅和源 漏区,而后去除伪栅并在栅沟槽中重新填充高k金属栅堆叠的替代栅极。由于栅极形成在 源漏极之后,此工艺中栅极不需要承受很高的退火温度,对栅层材料选择更广泛并且更能 体现材料本征的特性。 现有技术中多采用CVD、PVD等常规方法制备Al、Mo等金属作为替代栅极的金属填 充...
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