技术编号:9201817
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体器件的集成度的日益提高,LSI元件的电路图形变得更精细。为了使图形更精细,不仅需要降低线路宽度,还需要提高图形的尺寸精度和位置精度。同样对于存储器器件,需要保持对在微细单元中的更小的区域中的存储器所必需的特定量的电荷。作为克服此问题的技术,存在使用电阻改变层形成存储器基元的非易失性存储器器件。非易失性存储器器件具有三维层叠结构,并且因此与利用二维平面的存储器基元相t匕,可以增加集成度。由于增加了集成度,这样的非易失性存储器器件要具有更高的可靠性。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。