技术编号:9201855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为600V以上的耐压功率装置,广泛地使用IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极性晶体管)。IGBT虽然设计为在沿着顺方向以稳定状态通电电流的情况下电流不会饱和而引发锁定效应,但在断开时电流集中的情况下,有因电流集中而引发锁定效应从而引起破坏的可能性。尤其,为了缩小晶片的大小而实现小型化,必须使电流密度增大,该情况下,避免断开时的破坏现象变得重要。发明内容本发明提供一种能够提高破坏耐量的半导体装置。实施方式的...
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