技术编号:9201856
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。至于具有高击穿电压的金属氧化物半导体(MOS)晶体管,已经知道诸如其中通过双扩散工艺来形成MOS晶体管的沟道区的双扩散MOS (DMOS)晶体管之类的半导体器件。然而,对于该半导体器件,期望进一步增强击穿电压。发明内容实施例的目的在于提供其中增强了击穿电压的半导体器件。根据一个实施例,提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括第一导电类型的第一半导体层;所述第一导电类型的第二半导体层,所述第二半导体层在所述第一半导体层上,并且具有低于所述第一半导体层的掺杂剂...
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