技术编号:9216973
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。采用三层单元(TLC,Trinary Level Cell)介质的NAND闪存(Flash)得到广泛使用,出于成本的考虑,使用TLC介质的固态硬盘(SSD,Solid State Disk)进入市场,但TLC介质的读写性能参数和使用寿命低于多层单元(MLC,Multi Level Cell)介质、以及单层单兀(SLC, Single Level Cell)介质。为降低SSD的成本,相关技术采用TLC介质作为SSD的存储介质的技术方案,将部分TLC模拟为SL...
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