信息处理方法及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及信息处理技术，尤其涉及一种信息处理方法及电子设备。
【背景技术】
[0002]采用三层单元(TLC，Trinary Level Cell)介质的NAND闪存(Flash)得到广泛使用，出于成本的考虑，使用TLC介质的固态硬盘(SSD，Solid State Disk)进入市场，但TLC介质的读写性能参数和使用寿命低于多层单元(MLC,Multi Level Cell)介质、以及单层单兀(SLC, Single Level Cell)介质。
[0003]为降低SSD的成本，相关技术采用TLC介质作为SSD的存储介质的技术方案，将部分TLC模拟为SLC介质，并将新数据都存储至SLC，这就导致热点数据会被置换出去，需要频繁对TLC介质进行写入，这样对SSD的整体性能产生负面影响，同时也影响了 SSD的使用寿命O
[0004]综上所述，如何在降低SSD的成本的同时，保证SSD的读写性能和使用寿命，相关技术尚无有效解决方案。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供一种信息处理方法及电子设备，能够在降低SSD的成本的同时，保证SSD的读写性能和使用寿命。
[0006]本发明实施例的技术方案是这样实现的:
[0007]本发明实施例提供一种信息处理方法,应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元，其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；所述方法包括:
[0008]获得第一触发指令；
[0009]通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元；
[0010]检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果，所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量；
[0011]当所述第一检测结果表征所述第一容量超过第一阈值时，将第二数据转存储至所述第二存储单元；其中，所述第二数据为所述第二存储单元所存储的第一数据中预设第一比例的数据。
[0012]本发明实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元；
[0013]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0014]所述电子设备还包括:获取单元、检测单元和控制单元；其中，
[0015]所述获取单元，用于获得第一触发指令；
[0016]通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元；
[0017]所述检测单元，用于检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果，所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量；
[0018]所述控制单元，用于当所述第一检测结果表征所述第一容量超过第一阈值时，将第二数据转存储至所述第二存储单元；其中，所述第二数据为所述第二存储单元所存储的第一数据中预设第一比例的数据。
[0019]本发明实施例中，利用读取性能参数较高的第一存储单元对需要存储的第一数据进行缓存，并通过检测第一存储单元的已用容量是否超过第一阈值的方式，确保第一存储单元包括空闲容量以存储待写入的数据，这就避免了频繁对第二存储单元进行写入的情况，在降低了电子设备成本的同时，提高了电子设备的使用寿命，且提高了电子设备的写响应性能。
【附图说明】
[0020]图1为本发明实施例一中信息处理方法的实现流程示意图；
[0021]图2为本发明实施例二中信息处理方法的实现流程示意图；
[0022]图3为本发明实施例三中信息处理方法的实现流程示意图；
[0023]图4为本发明实施例四中信息处理方法的实现流程示意图；
[0024]图5为本发明实施例五中信息处理方法的实现流程示意图；
[0025]图6为本发明实施例六中信息处理方法的实现流程示意图；
[0026]图7为本发明实施例七中信息处理方法的实现流程示意图；
[0027]图8为本发明实施例八中信息处理方法的实现流程示意图；
[0028]图9为本发明实施例九中电子设备的结构示意图；
[0029]图10为本发明实施例十中电子设备的结构示意图。
【具体实施方式】
[0030]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。
[0031]实施例一
[0032]本实施例记载一种信息处理方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元；
[0033]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0034]实际应用中，所述第一存储单元可以采用SLC介质，或采用将TLC介质模拟为SLC介质的方式，所述第二存储单元可以采用MLC介质或TLC介质。
[0035]如图1所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤:
[0036]步骤101，获得第一触发指令。
[0037]所述第一触发指令用于指示电子设备接收并在自身存储第一数据。
[0038]步骤102，通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元。
[0039]步骤103，检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果。
[0040]步骤104，根据所述第一检测结果，判断所述第一容量是否超过所述第一阈值，如果是，则执行步骤105 ;否则，停止处理。
[0041]所述第一容量为所述第一存储单元当前存储数据所使用的容量。
[0042]步骤105，将第二数据转存储至所述第二存储单元。
[0043]也就是说，所述第一存储单元不再存储所述第二数据，所述第二数据为所述第二存储单元所存储的第一数据中预设第一比例的数据。
[0044]本实施例中，利用读取性能参数较高的第一存储单元对需要存储的第一数据进行缓存，并通过检测第一存储单元的已用容量是否超过第一阈值的方式，确保第一存储单元包括空闲容量以存储待写入的数据，这就避免了频繁对第二存储单元进行写入的情况，在降低了电子设备成本的同时，提高了电子设备的使用寿命，且提高了电子设备的写响应性倉泛。
[0045]实施例二
[0046]本实施例记载一种信息处理方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元；
[0047]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0048]实际应用中，所述第一存储单元可以采用SLC介质，或采用将TLC介质模拟为SLC介质的方式，所述第二存储单元可以采用MLC介质或TLC介质。
[0049]如图2所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤:
[0050]步骤201，获得第一触发指令。
[0051 ] 所述第一触发指令用于指示电子设备接收并在自身存储第一数据。
[0052]步骤202，通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元。
[0053]步骤203，检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果。
[0054]步骤204，根据所述第一检测结果判断所述第一容量是否超过所述第一阈值，如果是，则执行步骤205 ;否则，停止处理。
[0055]所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量。
[0056]步骤205，检测所述第一存储单元的负载，生成第二检测结果。
[0057]所述第一存储单元的负载是指单位时间内所读取和/或写入的数据的容量。
[0058]步骤206，根据所述第二检测结果判断所述第一存储单元的负载是否低于第二阈值，如果是，则执行步骤207 ;否则，停止处理。
[0059]步骤207，将所述第二数据转存储至所述第二存储单元。
[0060]其中，所述第二数据为所述第二存储单元所存储的第一数据中预设第一比例的数据。
[0061]本实施例中，利用读取性能参数较高的第一存储单元对需要存储的第一数据进行缓存，并通过检测第一存储单元的已用容量和负载，确保第一存储单元包括空闲容量存储待写入的数据，并且响应写入在电子设备的当前的写负载能力范围内；这就避免了频繁对第二存储单元进行写入的情况，在降低了电子设备成本的同时，提高了电子设备的使用寿命，且提高了电子设备的写响应性能。
[0062]实施例三
[0063]本实施例记载一种信息处理方法,应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元；
[0064]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0065]实际应用中，所述第一存储单元可以采用SLC介质，或采用将TLC介质模拟为SLC介质的方式，所述第二存储单元可以采用MLC介质或TLC介质。
[0066]如图3所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤:
[0067]步骤301，获得第一触发指令。
[0068]所述第一触发指令用于指示电子设备接收并在自身存储第一数据。
[0069]步骤302，通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元。
[0070]步骤303，检测所述第一存储单元对应的第一容量是否超过第一阈值，生成第一检测结果。
[0071]步骤304，根据所述第一检测结果判断所述第一容量是否超过所述第一阈值，如果是，则执行步骤305 ;否则，停止处理。
[0072]所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量。
[0073]步骤305，检测所述第一存储单元的负载，生成第二检测结果。
[0074]所述第一存储单元的负载是指单位时间内所读取和/或写入的数据的容量。
[0075