]步骤306，根据所述第二检测结果判断所述第一存储单元的负载是否低于第二阈值，如果是，则执行步骤307 ;否则，停止处理。
[0076]步骤307，检测所述第一存储单元存储的第一数据的操作频率。
[0077]所述操作频率表征所述第一数据被写入和/或被读取的频率。
[0078]步骤308，基于所检测到的操作频率，得到所述第二数据。
[0079]其中，所述第二数据为所述第一存储单元存储的第一数据中操作频率最低的数据，且为所述第一数据预设比例或预设容量的数据。
[0080]步骤309，将所述第二数据转存储至所述第二存储单元。
[0081]本实施例中，将第一存储单元中的非热点数据转存储至第二存储单元，这就提高了第一存储单元对数据读取请求的命中率，使第一存储单元响应热点数据的读写请求，进一步提闻了电子设备的与响应性能。
[0082]实施例四
[0083]本实施例记载一种信息处理方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、以及输入单元和输出单元；
[0084]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0085]实际应用中，所述第一存储单元可以采用SLC介质，或采用将TLC介质模拟为SLC介质的方式，所述第二存储单元可以采用MLC介质或TLC介质。
[0086]如图4所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤:
[0087]步骤401，获得第一触发指令。
[0088]所述第一触发指令用于指示电子设备接收并在自身存储第一数据。
[0089]步骤402，通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元。
[0090]步骤403，检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果。
[0091]步骤404，根据所述第一检测结果，判断所述第一容量是否超过所述第一阈值，如果是，则执行步骤405 ;否则，停止处理。
[0092]所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量。
[0093]步骤405，将第二数据转存储至所述第二存储单元。
[0094]步骤406，获得第二触发指令，所述第二触发指令用于指示待读取的第一数据。
[0095]步骤407，从所述第一存储单元查询所述待读取的第一数据，如果查询到，则执行步骤409 ;否则，执行步骤408和步骤409。
[0096]步骤408，在所述第二存储单元查询所述待读取的第一数据。
[0097]步骤409，将查询到的第一数据发送至所述输出单元。
[0098]本实施例中，由于第一存储单元存储的总是热点数据，因此，在读取数据时，首先在第一存储单元查询待读取的第一数据，这样，对读取请求的命中率较高，并且，通过第一存储单元响应读取请求，响应速度高于通过第二存储单元响应读取请求，提高了电子设备响应读取请求的性能。
[0099]实施例五
[0100]本实施例记载一种信息处理方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、以及输入单元和输出单元；
[0101]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0102]实际应用中，所述第一存储单元可以采用SLC介质，或采用将TLC介质模拟为SLC介质的方式，所述第二存储单元可以采用MLC介质或TLC介质。
[0103]如图5所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤:
[0104]步骤501，获得第一触发指令。
[0105]所述第一触发指令用于指示电子设备接收并在自身存储第一数据。
[0106]步骤502，通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元。
[0107]步骤503，检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果。
[0108]步骤504，根据所述第一检测结果，判断所述第一容量是否超过所述第一阈值，如果是，则执行步骤505 ;否则，停止处理。
[0109]所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量。
[0110]步骤505，将第二数据转存储至所述第二存储单元。
[0111]步骤506，获得第二触发指令，所述第二触发指令用于指示待读取的第一数据。
[0112]步骤507，从所述第一存储单元查询所述待读取的第一数据，如果查询到，则执行步骤509 ;否则，执行步骤508。
[0113]步骤508，在所述第二存储单元查询所述待读取的第一数据。
[0114]步骤509，将查询到的第一数据发送至所述输出单元。
[0115]步骤510，检测所述第一存储单元中的第一数据的操作频率。
[0116]步骤511，基于所检测到的操作频率，得到第三数据。
[0117]所述第三数据为所述第一存储单元存储的第一数据中预设第二比例的、操作频率最闻的数据。
[0118]步骤512，将所述第三数据转存储至所述第三存储单元。
[0119]其中，所述第二数据和所述第三数据所占用的容量不小于所述第一容量与所述第一阈值的差值，以确保第一存储单元有足够的空闲容量响应读写请求，即缓存请求读写的数据。
[0120]本实施例中，将第一存储单元的热点数据转存储至读写性能参数较高的第三存储单元，通过第一存储单元和第三存储的单元配合的方式响应数据读写，能够进一步提高对数据读写的命中率，显著降低对第二存储单元的写入次数，在降低了电子设备成本的同时，提高了电子设备的使用寿命，且提高了电子设备的读写响应性能。
[0121]实施例六
[0122]本实施例记载一种信息处理方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、以及输入单元和输出单元；
[0123]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0124]实际应用中，所述第一存储单元可以采用SLC介质，或采用将TLC介质模拟为SLC介质的方式，所述第二存储单元可以采用MLC介质或TLC介质。
[0125]如图6所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤:
[0126]步骤601，获得第一触发指令。
[0127]所述第一触发指令用于指示电子设备接收并在自身存储第一数据。
[0128]步骤602，通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元。
[0129]步骤603，检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果。
[0130]步骤604，根据所述第一检测结果，判断所述第一容量是否超过所述第一阈值，如果是，则执行步骤605 ;否则，停止处理。
[0131]所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量。
[0132]步骤605，将第二数据转存储至所述第二存储单元。
[0133]步骤601至步骤605为响应写入操作的处理。
[0134]步骤606，获得第二触发指令，所述第二触发指令用于指示待读取的第一数据。
[0135]步骤607，从所述第一存储单元查询所述待读取的第一数据，如果查询到，则执行步骤609 ;否则，执行步骤608。
[0136]步骤608，在所述第二存储单元查询所述待读取的第一数据。
[0137]步骤609，将查询到的第一数据发送至所述输出单元。
[0138]步骤606至步骤609为响应读取操作的处理。
[0139]步骤610，检测所述第一存储单元中的第一数据的操作频率。
[0140]步骤611，基于所检测到的操作频率，得到第三数据。
[0141]所述第三数据为所述第一存储单元存储的第一数据中预设第二比例的、操作频率最闻的数据。
[0142]步骤612，将所述第三数据转存储至所述第三存储单元。
[0143]其中，所述第二数据和所述第三数据所占用的容量不小于所述第一容量与所述第一阈值的差值。
[0144]步骤610至步骤612可以在步骤601至步骤609任意步骤之间执行。
[0145]步骤613，检测所述第三存储单元对应的第二容量，生成第三检测结果。
[0146]所述第二容量为所述第三存储单元当前所使用的容量；
[0147]步骤614，根据所述第三检测结果判断所述第二容量是否超过所述第三阈值，如果是，则执行步骤615 ;否则，停止处理。
[0148]步骤615，将第四数据转存储至所述第二存储单元。
[0149]所述第四数据为所述第三存储单元所存储的第一数据中预设第三比例的数据。
[0150]步骤613至步骤615可以在步骤601至步骤609任意步骤之间执行。
[0151]本实施例中，将第三存储单元的非热点数据转存储至读写性能参数较低的第二存储单元，从而能够有空余的容量存储热点数据，能够进一步提高对数据读写的命中率，显著降低对第二存储单元的读写次数，在降低了电子设备成本的同时，提高了电子设备的使用寿命，且提高了电子设备的读写响应性能。
[0152]实施例七
[0153]本实施例记载一种信息处理方法，应用于一电子设备中，所述电子设备包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、以及输入单元和输出单元；
[0154]其中，所述第一存储单元的读写性能参数高于所述第二存储单元的读写性能参数，所述第二存储单元为非易失性存储单元；
[0155]实际应用中，所述第一存储单元可以采用SLC介质，或采用将TLC介质模拟为SLC介质的方式，所述第二存储单元可以采用MLC介质或TLC介质。
[0156]如图7所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤:
[0157]步骤701，获得第一触发指令。
[0158]所述第一触发指令用于指示电子设备接收并在自身存储第一