数据。
[0159]步骤702，通过所述输入单元获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元。
[0160]步骤703，检测所述第一存储单元对应的第一容量，生成第一检测结果。
[0161]步骤704，根据所述第一检测结果，判断所述第一容量是否超过所述第一阈值，如果是，则执行步骤705 ;否则，停止处理。
[0162]所述第一容量为所述第一存储单元当前所使用的容量。
[0163]步骤705，将第二数据转存储至所述第二存储单元。
[0164]步骤701至步骤705为响应写入操作的处理。
[0165]步骤706，获得第二触发指令，所述第二触发指令用于指示待读取的第一数据。
[0166]步骤707，从所述第一存储单元查询所述待读取的第一数据，如果查询到，则执行步骤710 ;否则，执行步骤708。
[0167]步骤708，在所述第三存储单元查询所述待读取的第一数据；如果查询到，则执行步骤710 ;否则，执行步骤709。
[0168]步骤709，在所述第二存储单元查询所述待读取的第一数据。
[0169]步骤710，将查询到的第一数据发送至所述输出单元。
[0170]步骤706至步骤710为响应读取操作的处理。
[0171]步骤711，检测所述第一存储单元中的第一数据的操作频率。
[0172]步骤712，基于所检测到的操作频率，得到第三数据。
[0173]所述第三数据为所述第一存储单元存储的第一数据中预设第二比例的、操作频率最闻的数据。
[0174]步骤713，将所述第三数据转存储至所述第三存储单元。
[0175]其中，所述第二数据和所述第三数据所占用的容量不小于所述第一容量与所述第一阈值的差值。
[0176]步骤711至步骤713可以在步骤701至步骤710任意步骤之间执行。
[0177]步骤714，检测所述第三存储单元对应的第二容量，生成第三检测结果。
[0178]所述第二容量为所述第三存储单元当前所使用的容量；
[0179]步骤715，根据所述第三检测结果判断所述第二容量是否超过所述第三阈值，如果是，则执行步骤716 ;否则，停止处理。
[0180]步骤716，将第四数据转存储至所述第二存储单元。
[0181]所述第四数据为所述第三存储单元所存储的第一数据中预设第三比例的数据。
[0182]步骤714至步骤716可以在步骤701至步骤710任意步骤之间执行。
[0183]本实施例中，通过第一存储单元、第三存储单元、第二存储单元的先后顺序查找待读取数据，这样，通过读写性能参数较高的第一存储单元和第二存储单元响应的热点数据读与，能够提闻数据读与的命中率，避免对频繁读与第~■存储单兀，进一步提闻电子设备的读取响应速度。
[0184]实施例八
[0185]本实施例基于前述实施例，对前述实施例中所述的将第一存储单元中的第二数据转存储至所述第二存储单元进行说明，如图8所示，本实施例记载的信息处理方法，包括以下步骤:
[0186]步骤801，确定所述第二存储单元中存储所述第二数据的第一子单元，所述第一子单元为所述第二存储单元中存储数据的最小单元。
[0187]步骤802，依次在所确定的第一子单元写入与预设第三容量对应的所述第二数据，直至所述第二数据写入完毕。
[0188]其中，所述预设第三容量小于所述第一子单元的容量。
[0189]也是就说，对每个第一子单元进行写入时，不是一次性将第一子单元的可存储空间写满，而是将第二数据交织存入第一子单元，这样，能够均衡每个第一子单元的写入次数，避免子单元写入磨损不均衡的情况，提高电子设备的使用寿命。
[0190]这里需要指出的是:以下电子设备实施例中的描述，与上述方法描述是类似的，同方法的有益效果描述，不作赘述。对于本发明电子设备实施例中未披露的技术细节，请参照本发明方法实施例的描述。
[0191]实施例九
[0192]本实施例记载一种电子设备，如图9所示，所述电子设备包括第一存储单元91、第二存储单元92、以及输入单元93 ；
[0193]其中，所述第一存储单元91的读写性能参数高于所述第二存储单元92的读写性能参数，所述第二存储单元92为非易失性存储单元；
[0194]所述电子设备还包括:获取单元94、检测单元95和控制单元96 ;其中，
[0195]获取单元94，用于获得第一触发指令；
[0196]通过所述输入单元93获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元91 ；
[0197]检测单元95，用于检测所述第一存储单元91对应的第一容量，生成第一检测结果，所述第一容量为所述第一存储单元91当前所使用的容量；
[0198]控制单元96，用于当所述第一检测结果表征所述第一容量超过所述第一阈值时，将第二数据转存储至所述第二存储单元92 ;其中，所述第二数据为所述第二存储单元92所存储的第一数据中预设第一比例的数据。
[0199]实际应用中，所述获取单元94、所述检测单元95、所述控制单元96可由电子设备中的微处理器实现；所述输入单元93可由电子设备中的输入总线实现。
[0200]实施例十
[0201]本实施例记载一种电子设备，如图10所示，所述电子设备包括第一存储单元1001、第二存储单元1002、以及输入单元1003 ；
[0202]其中，所述第一存储单元1001的读写性能参数高于所述第二存储的单元的读写性能参数，所述第二存储单元1002为非易失性存储单元；
[0203]所述电子设备还包括:获取单元1004、检测单元1005和控制单元1006 ;其中，
[0204]所述获取单元1004，用于获得第一触发指令；
[0205]通过所述输入单元1003获得第一数据，将所述第一数据存储至所述第一存储单元 1001 ；
[0206]所述检测单元1005，用于检测所述第一存储单元1001对应的第一容量，生成第一检测结果，所述第一容量为所述第一存储单元1001当前所使用的容量；
[0207]所述控制单元1006，用于当所述第一检测结果表征所述第一容量超过所述第一阈值时，将第二数据转存储至所述第二存储单元1002 ;其中，所述第二数据为所述第二存储单元1002所存储的第一数据中预设第一比例的数据。
[0208]其中，所述检测单元1005，还用于检测所述第一存储单元1001的负载，生成第二检测结果；
[0209]所述控制单元1006，还用于当所述第二检测结果表征所述第一存储单元1001的负载低于所述第二阈值时，将所述第二数据转存储至所述第二存储单元1002。
[0210]其中，所述检测单元1005，还用于检测所述第一存储单元1001存储的第一数据的操作频率，所述操作频率表征所述第一数据被写入和/或被读取的频率；
[0211]基于所检测到的操作频率，得到所述第二数据；其中，所述第二数据为所述第一存储单元1001存储的第一数据中操作频率最低的数据。
[0212]其中，所述电子设备还包括输出单元1007;
[0213]所述获取单元1004，还用于获得第二触发指令，所述第二触发指令用于指示待读取的第一数据；
[0214]所述控制单元1006，还用于从所述第一存储单元1001查询所述待读取的第一数据；当未在所述第一存储单元1001查询到所述待读取的第一数据时，在所述第二存储单元1002查询所述待读取的第一数据；将查询到的第一数据发送至所述输出单元1007。
[0215]其中，所述电子设备还包括第三存储单元1008，所述第三存储单元1008的读写性能参数高于所述第二存储单元1002的读写性能参数；
[0216]所述检测单元1005，还用于检测所述第一存储单元1001中的第一数据的操作频率；
[0217]基于所检测到的操作频率，得到第三数据，所述第三数据为所述第一存储单元1001存储的第一数据中预设第二比例的、操作频率最高的数据；
[0218]所述控制单元1006，还用于将所述第三数据转存储至所述第三存储单元1008 ;其中，所述第二数据和所述第三数据所占用的容量不小于所述第一容量与所述第一阈值的差值。
[0219]其中，所述检测单元1005，还用于检测所述第三存储单元1008对应的第二容量，生成第三检测结果，所述第二容量为所述第三存储单元1008当前所使用的容量；
[0220]所述控制单元1006，还用于当所述第三检测结果表征所述第二容量超过所述第三阈值时，将第四数据转存储至所述第二存储单元1002，所述第四数据为所述第三存储单元1008所存储的第一数据中预设第三比例的数据。
[0221]其中，所述控制单元1006，还用于在所述第三存储单元1008查询所述待读取的第一数据；
[0222]当未在所述第三存储单元1008查询到所述待读取的第一数据时，在所述第二存储单元1002查询到所述待读取的第一数据的操作。
[0223]其中，所述控制单元1006，还用于确定所述第二存储单元1002中存储所述第二数据的第一子单元，所述第一子单元为所述第二存储单元1002中存储数据的最小单元；
[0224]依次在所确定的第一子单元写入与预设第三容量对应的所述第二数据，直至所述第二数据写入完毕；其中，所述预设第三容量小于所述第一子单元的容量。
[0225]实际应用中，所述获取单元1004、所述检测单元1005、所述控制单元1006可由电子设备中的微处理器实现；所述输入单元1003可由电子设备中的输入总线实现；所述输出单元1007可由电子设备中的输出总线实现。
[0226]在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如:多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽