技术编号：9218266
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体存储器的制造工艺中的小型化的进步，在诸如DRAM(动态随机存取存储器)的半导体存储器中，邻近访问集中式字线的字线上的诸如串扰的电冲击增加。这导致了电容器中的泄漏增加并且在连接到邻近字线的存储器单元中发生数据错乱问题。例如，当对给定行地址的访问的数目在具有小于40nm(纳米)的处理规则的DRAM中在刷新间隔内达到成千上万时，该问题成为实际。为了避免该问题，通常采用以下两种措施。第一种措施是缩短刷新周期。缩短刷新周期在数据混淆发生之前启用存储器单元的...
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