技术编号：9218678
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统场效应晶体管(FET)为基本平面型器件，具有跨例如单晶硅的半导体的表面而延伸的栅极结构，以及在栅极两侧上的半导体中的掺杂的源极区和漏极区。栅极通过例如氧化硅的薄层绝缘体与半导体绝缘。施加到栅极的电压控制在栅极下半导体中的、延伸于掺杂的源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道中的电流流动。FET的开关速度取决于在源极区和漏极区之间的电流流动量。电流流动取决于栅极的宽度，其中宽度是沟道中垂直于电流流动方向的方向。随着对应用在通信和计算机设备中的更高速度晶体管的不断...
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