技术编号:9236602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在下一代集成电路的制造工艺中,对于互补金属氧化物半导体(CMOS)的栅极的制作,通常采用高k-金属栅极工艺。对于具有32nm以下工艺节点的CMOS而言,所述高k_金属栅极工艺通常为后栅极工艺,其实施过程为先高k介电层后金属栅极和后高k介电层后金属栅极两种。前者的实施过程包括在半导体衬底上形成伪栅极结构,所述伪栅极结构由自下而上层叠的界面层、高k介电层、覆盖层(capping layer)和牺牲栅极材料层构成;在伪栅极结构的两侧形成侧壁结构,再在半导体衬底上...
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