技术编号:9240168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。当前趋向于在同一半导体衬底上集成光子装置及电子装置。绝缘体上硅(SOI)衬底可用作用于此类集成的支撑衬底。然而,与电子装置的电隔离通常所需要的较薄埋式氧化物(BOX)相比较,光子结构(例如建造在SOI衬底上方的波导)通常在SOI衬底中需要厚BOX以用于光学隔离。举例来说,为了防止光子波导芯与BOX下方的支撑硅的渐消型耦合,BOX材料必须相对厚,例如,大于1.0 4111且常常为2.0 4111到3.0 μπι厚。当BOX材料具有此类厚度时,其抑制到下层硅的...
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