技术编号：9240173
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在本公开的结尾处提供了缩写词的清单。该清单包括很多在本文以及附图中所使用的缩写词。在用于在鳍型场效应晶体管的栅极上形成第一组间隔物(“间隔物I”)的反应离子刻蚀期间鳍发生了腐蚀，这是绝缘体上硅(SOI)鳍型场效应晶体管(FinFET)的一个关键问题。在间隔物下拉(pull down)期间的鳍侵蚀导致活跃载流子剂量的减少和接入电阻的增加。换言之，间隔物下拉是间隔物材料的去除(例如通过RIE)以使得该间隔物材料被留下作为栅极一侧的间隔物。该RIE是各向同性的，...
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