技术编号:9246376
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓作为第三代半导体材料的主要代表,具有宽带隙、高耐压、高热导等优良性能,成为研宄关注的热点。相比于其他方法,钠流法(Na Flux)的生长条件较为温和(700?1000°C,4?5MPa)且晶体质量较好,成为制备氮化镓材料最具潜力的方法。传统的钠流法反应釜,一般采用整体加热反应釜及单通道氮气路管道,不仅容易产生无序对流,且气液界面容易产生多晶,阻碍N进入溶液充分参与反应,导致晶体生长缓慢且晶体质量较低。如何进一步提高溶液中N的溶解度及均匀性,成为影响氮...
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