技术编号：9274122
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，须对光掩模图形进行预先的光学临近效应修正(Optical Proximity Correct1n，简称OPC)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应。随着特征尺寸的不断减小和图形复杂程度变得越来越高，OPC技术也不断发展以适应图形成像过程中不断出现的问题。在关键层次上，应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，其基本原理是通过建立基于特定光刻条件的曝光模型，对原始版图或目标版图进行模拟以得到模拟误...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。