技术编号:9278281
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明用于eDRAM的选择晶体管中的背栅本发明总体上涉及微电子领域。更具体地,本发明涉及嵌入式DRAM(动态随机存取存储器)领域,并且提供一种新结构,其通过在选择晶体管上使用背栅来实现改进的性能。相同的结构也可以用在DRAM应用中。如今,DRAM出现在大多数电子设备中。它们通常形成微控制器或微处理器的主存储器。一般而言,分别根据DRAM实现在独立管芯(die)上或者与微控制器/微处理器实现在同一管芯上将它们划分为独立式DRAM和嵌入式DRAM(以下称为e...
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