技术编号:9305643
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。非易失性存储器件即使在未通电时也能够保持其中储存的数据。在硅衬底上制造为单层的二维存储器件已接近用于提高集成度的物理极限。因此,已提议使3D非易失性存储器件具有在硅衬底上沿垂直方向层叠的存储器单元。3D非易失性存储器件包括彼此交替层叠的层间绝缘层和栅电极,以及将层间绝缘层和栅电极穿通的沟道层。存储器单元沿沟道层层叠。通过交替层叠例如氧化层的多个层间绝缘层和诸如氮化层的多个牺牲层、然后使用多个导电层来替换牺牲层以形成层叠的栅电极,来制造3D非易失性存储器件。...
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