技术编号:9328681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,对利用在绝缘表面上存在有较薄的单晶半导体层的SOI (Silicon onInsulator绝缘体上娃)衬底来代替大块状娃片进行了研讨。通过使用SOI衬底,可以减小由晶体管的漏极与衬底形成的寄生电容,为此SOI衬底因其可以提高半导体集成电路的性能而被受关注。作为SOI衬底的制造方法之一,已知智能切割(注册商标)法(例如,参照专利文献I)。以下对利用智能切割法的SOI衬底的制造方法的概要进行说明。首先,利用离子注入法对硅片进行氢离子注入,以在离其表面...
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