技术编号:9354580
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明总的来说涉及电子设备的制造,例如,特别是数据的储存和一般传输用的 用于USB密钥、MS卡和SD卡中的可擦除NAND存储器的制造。 本发明涉及通过在硅上化学沉积金属来制造金属硅化物。特别地,其涉及包含相 对于其表面垂直交替的电介质和半导体层的基板的活化,用于利用通过无电镀工艺(也被 称为自动催化法)沉积的薄金属层的后续涂布。背景技术 硅化镍通常通过汽相法在硅基板上沉积镍膜随后进行快速热退火(RTA)来形成。 在通常为400~750°C的数量级的温度下...
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