技术编号：9355377
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，为了实现高击穿电压、低损耗以及在高温环境下应用半导体器件，已经开始采用碳化硅作为用于半导体器件的材料。碳化硅是一种具有比已经常规地广泛用作用于半导体器件的材料的硅的带隙大的带隙的宽带隙半导体。因此，通过采用碳化硅作为用于半导体器件的材料，半导体器件可具有高击穿电压、降低的导通电阻等等。此外，有利地，由此采用碳化硅作为其材料的半导体器件即使在高温环境下也具有比采用硅作为其材料的半导体器件更小劣化的特性。在可能发生在碳化硅衬底中的缺陷中，微管道是特别成...
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