技术编号:9368341
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中,制备分级T12纳米管的方法采用的是直接在分级ZnO结构上一边生长Ti02—边刻蚀ZnO,这样就存在ZnO刻蚀不尽的缺点,即在T1 2纳米管中余留有ZnO,因此,将严重影响T12纳米管的性能,且限制其应用。发明内容针对现有技术中存在的技术问题,本发明的目的在于提供一种物理特性可控的新型分级T12。为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案为一种新型分级T12,步骤如下①、电解沉积法制备ZnO分级结构模板将0.0063M的硝酸锌和0.0063M的六胺...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。