一种深硅刻蚀方法技术资料下载

技术编号:9377728

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刻蚀工艺是指在制造半导体器件过程中采用化学溶液或腐蚀性气体或等离子体除去晶圆内或晶圆表面膜层中不需要的部分的工艺。通常主要用化学溶液进行刻蚀的方法为湿法刻蚀,采用腐蚀性气体或等离子体进行刻蚀的方法为干法刻蚀。目前,可以使电路图形变得更精细的干法刻蚀得到越来越广泛的使用。湿法刻蚀中,用强酸的化学反应进行各向同性刻蚀,即使被掩膜覆盖的部分也可以被刻蚀。相反,干法刻蚀用反应离子刻蚀,其中,用例如等离子态的卤素的腐蚀性化学气体和等离子态离子进行刻蚀。因此,干法刻蚀...
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