技术编号:9377730
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。已知,光学光刻制作工艺是利用曝光及显影等步骤将光掩模上的电路图案微缩转印至晶片上的技术,而随着半导体制作工艺的微缩,目前的光学光刻制作工艺已面临到技术瓶颈。以现今主流的193纳米(nm)波长的氟化氩(ArF)激光光源为例,其可达到的最小晶体管半间距(half-pitch)约为65纳米,若再搭配业界现有的浸润式光刻(Immers1nLithography)技术,晶体管半间距仅能推进至45纳米。为了使用现有的设备来达成超越曝光极限的微细线路制作,业界于是发展出...
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