技术编号：9378186
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着微电子技术的不断发展，以InGaAs、InP、InAs, GaAs, GaSb等为代表的II1-V族化合物半导体因其具有优于硅的电子迀移率或空穴迀移率，被认为是作为后摩尔技术时代替代硅沟道制作金属一氧化物一半导体(MOS)场效应晶体管的重要备选材料。II1-V族衬底与栅介质界面普遍存在着大量的界面缺陷密度，通常比Si02/Si的界面陷阱密度高1-2个数量级，高的界面陷阱密度会大大降低载流子的迀移率，导致导通电阻增大，功耗增加。目前，业界科研学者通过采用...
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