技术编号:9400606
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明涉及使氯代多硅烷反应成六氯二硅烷的方法,其中使至少一种三聚体的氯代多硅烷或与更高分子量的氯代多硅烷混合的三聚体的氯代多硅烷暴露于气体放电中,并形成和分离出六氯二硅烷。WO 2008/098640公开了在等离子体反应器中由四氯化硅和含氢硅烷,如三氯硅烷制备更尚级娃烧的方法。这种方法以尚广率获得六氯二娃烧,但也获得副广物八氯二娃烧(OCTS,Si3Cl8),其迄今为止必须昂贵地清除。DE 3126240 Al公开了具有比六氯二硅烷高的分子量的氯代...
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