一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法技术资料下载

技术编号:9434555

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硅基半导体在低成本大规模集成电路方面取得巨大成功,但随着微电子器件集成度和运行速度的大幅提高,带来了器件功耗的大幅度增加、摩尔定律面临失效等瓶颈问题。II1-V族材料不仅具有极为突出的光电性能,在电子迀移率方面也具有明显优势,在超高速微电子器件、光电器件方面获得广泛应用,但II1-V族半导体材料化合元素日益稀缺、制造成本较高等问题制约了其进一步的发展。基于硅基II1-V族材料高电子迀移率微电子集成器件,有可能实现II1-V族和硅基半导体优势互补、低成本、高...
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