技术编号:9439162
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。使用碳化硅(SiC)和其他宽带隙材料实现的高电压VJFET可在高功率转换和马达控制应用中取代硅M0SFET、超结MOSFET和硅IGBT。宽带隙半导体具有较高的击穿场(Ec,以V/cm为单位测量),其转化为较薄(例如,薄10倍)的电压支持漂移区,这些漂移区具有较高的掺杂,例如,掺杂高10倍以上。这可直接导致与具有相同电压额定值的硅器件相比,在导通状态下器件电阻减小许多个数量级。VJFET因为是单极器件,可以相对高的频率切换而保持低功率损耗。这可实现更紧凑的...
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