技术编号：9454469
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在现有的对平面型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件的P+区域的制作工艺中，在源区制作完成以后，在多晶硅的上面淀积一层氧化层或者氮化硅层，作为多晶硅侧壁上的隔离侧墙，利用侧墙进行P+区域的注入形成深体区，现有的VDMOS器件的制作工艺示意如图1-图7所示。现有技术的不足之处在于在对VDMOS器件的多晶硅层进行刻蚀时，可能会刻蚀掉一部分的栅氧化层，容易对栅氧化层产生离子损伤，进而影响栅氧化层的抗击穿能力。发明内容为克服上述缺陷，本发明提...
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