技术编号:9454473
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种。背景技术随着半导体集成电路的集成度越来越高,对晶体管性能的要求也日益增高,因此,对于晶体管可靠性的要求随之提高。在常规的CMOS(互补金属氧化物半导体,Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件的制造工艺中,偏压温度不稳定性(Bias Temperature Instability,简称BTI)是评判可靠性的参考因素之一。在评价PMOS晶体管的可靠性时,负偏压温度不稳定性(Neg...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。