技术编号：9472822
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。沟槽型功率器件的用途非常广泛，其漏源两极分别位于器件的两侧，使电流在器件内部垂直流通，增加了电流密度，改善了额定电流，单位面积内的导通电阻也较小。目前常用光刻工艺来形成沟槽型功率器件的有源区的源极金属接触，光刻工艺刻蚀的准确率高，其缺陷密度也较低。然而，为了在相同的面积下集成更多的芯片，必须缩小相邻沟槽的尺寸，此时，并联的电阻越多，总导通电阻越小，因此，相邻沟槽尺寸的缩小既可以起到降低总导通电阻的作用，又可以减小芯片面积，降低制造成本。然而，由于尺寸的缩小...
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