技术编号:9472828
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体技术发展,半导体器件的集成度不断增加,半导体器件特征尺寸 (Critical Dimension,CD)越来越小。 而随着半导体器件特征尺寸的逐渐减小,互连结构之间寄生电容等原因而产生的 RC延迟(RCdelay)对半导体器件的影响越来越大。降低互连结构中介质层材料的K值是有 效降低RC延迟效应的方法。近年来,在半导体器件的后段制备工艺(Back End of The Line, BEOL)中,低K介电常数(Low K,LK)材料(K <...
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