技术编号:9485520
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种,涉及提拉法生长单晶硅时多晶硅块料在石英坩 埚中的装料方法,特别涉及分层,分级,以及振荡提高松装密度。分区装料提高熔硅速度,减 小喷硅和漏硅可能性的装料方法。背景技术 在单晶娃的制造工艺中,最常使用的是直拉法(或提拉法)(Czochralski,缩与 Cz),在直拉法中,多晶硅是填充在石英玻璃坩埚(也称石英坩埚)中,然后加热熔融形成硅 熔液,在硅熔液中浸入籽晶后向上旋转提拉,硅在籽晶与熔溶液的界面处凝固结晶,形成单 晶娃锭。 在提拉法制备娃...
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