技术编号：9490572
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭露通常涉及场效应晶体管(FET)半导体装置的制造，尤其涉及通过执行三包工艺(triple cladding process)形成半导体装置的沟道区的各种方法以及由此形成的半导体装置。背景技术制造例如CPU(中央处理单元)、存储装置、ASIC(专用集成电路！applicat1nspecific integrated circuit)等先进集成电路需要依据特定的电路布局在给定的芯片面积上形成大量电路元件，其中，金属氧化物场效应晶体管(M0SFET或FET)...
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