技术编号:9493836
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置。背景技术—直以来,主要在马达控制系统、电力转换系统等各种功率电子学领域的系统中使用的半导体功率器备受瞩目。作为这种半导体功率器件,提出例如具有沟槽栅构造的SiC半导体装置。例如,专利文献1公开了一种场效应晶体管,包括n+型的SiC衬底;形成在该SiC衬底上的η—型的外延层(漂移区域);形成在外延层的表面侧的ρ型的主体(body)区域;在主体区域内形成在其表面侧的n+型的源极区域;以贯通源极区域及主体区域而达到漂移区域的方式形成的格子状...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。