技术编号：9507180
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在NAND FLASH 芯片(NAND FLASH 芯片是 FLASH 芯片的一种，NAND FLASH 芯片内部采用非线性宏单元模式)制造过程中存储单元可能会有坏点出现，出现坏点的存储单元不能用来存储数据，芯片内部会把出现坏点的存储单元地址在测试阶段写入芯片内部。在对芯片进行读写操作的时候，会把需要读写的地址与记录的出现坏点的存储单元地址进行对比。如果对比后匹配上，用芯片内部其它的存储单元来替换出现坏点的存储单元；如果对比没有匹配上，则正常操作。在读写完...
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