技术编号:9507422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体装置,且特别是关于一种具有占地面积较小的。背景技术击穿电压为许多半导体装置的重要参数,其通常用以决定半导体装置的可容许的操作电压范围。目前,有许多方法可用以增加半导体装置的击穿电压,例如减少两电性终端(例如源极及漏极、阳极及阴极或栅极及漏极等)之间的区域的掺杂浓度或增加两电性终端之间的距离。在设计半导体装置时,通常会固定某些参数以达成某些效能目标,并可调整某些其他参数以增进装置的总体效能。例如,固定通道区(位于源极及漏极之间)的掺杂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。