技术编号:9507425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着器件尺寸的不断缩小,单位面积芯片上的器件数目越来越多,这会导致动态功耗的增加,同时,器件尺寸的不断缩小必然引起漏电流的增加,进而引起静态功耗的增力口,而随着半导体器件的高度集成,M0SFET沟道长度不断缩短,一系列在M0SFET长沟道模型中可以忽略的效应变得愈发显著,甚至成为影响器件性能的主导因素,这种现象统称为短沟道效应。短沟道效应会恶化器件的电学性能,如造成栅极阈值电压下降、功耗增加以及信噪比下降等问题。SOI衬底是在娃的下方嵌入了二氧化娃层,相对...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。