技术编号:9515812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。功率器件中有时使用了具有氮化物半导体层的晶体管。专利文献1中公开了这种晶体管的一例。专利文献1所公开的晶体管中,在氮化物半导体层上形成有层间绝缘膜,且在层间绝缘膜上设有漏极垫和源极垫、以及漏极电极及源极电极。漏极电极以梳状设置在漏极垫上。同样地,源极电极以梳状设置在源极垫上。此时,漏极电极及源极电极以相互咬合的方式配置。而且,专利文献1所公开的技术中,在俯视下,漏极电极内侧还具有在层间绝缘膜中形成的凹部。所述凹部中埋有漏极电极的一部分。漏极电极经由所述凹部...
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