技术编号:9525559
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。除了高的耐电压之外,半导体功率器件要求具有低的导通电阻和低的开关损耗,但是作为当前主流的硅(Si)功率器件的性能正在接近其理论极限。碳化硅(SiC)具有比Si大了约一个数量级(digit)的击穿场强度,因此从理论上讲,通过减少偏移层的厚度以将耐电压保持为约十分之一并且将杂质浓度增加约100倍,可以使器件的电阻减少不少于三个数量级。进一步地,SiC具有比Si大了约3倍的带隙,因此可以耐受高温操作,并且期望SiC半导体器件具有超过Si半导体器件的性能。将注意力...
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