技术编号:9525726
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,氮化物发光二极管已广泛地应用于各领域。在氮化物半导体结构中,由于硅衬底具备高导热以及低成本等优点,因此,以硅衬底为基础的大尺寸的氮化物半导体已成为氮化物发光二极管中的重要元件。然而,以氮化镓(GaN)半导体层为例,氮化镓半导体层与硅衬底之间的晶格差异为17%,且两者之间的热膨胀系数差异为54%。上述差异除了在冷却期间会因热应力过大而造成薄膜破裂外,也会使氮化镓半导体层在外延过程中产生内应力,进而造成薄膜龟裂并形成缺陷。因此,如何解决氮化物半导体层与...
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