技术编号：9529300

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以往，公知有包含保存互补数据的两个非易失性存储单元的半导体装置。例如，在日本特开2008-117510号公报(专利文献I)中记载的半导体装置具备存储阵列(19)，具有多个能够分别进行电改写的第I存储元件(MCl)和第2存储元件(MC2)作为I比特的双单元(twin cells)，所述第I存储元件(MCl)和第2存储元件(MC2)通过快速擦除(flash erase)型负阈值电压的差异保存二值数据且由于所保存的二值数据的差异而存储特性存在差异；和读取电路(S...
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