技术编号:9565799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 近来,经常使用金属栅极来代替多晶娃栅极W改善半导体器件的特性。金属栅极 可W通过置换金属栅极工艺制造。典型的置换金属栅极工艺包括进行蚀刻、沉积和抛光操 作。发明内容 根据本发明构思的一方面,提供一种,该方法包括在衬底 上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层,从而每个沟槽具有侧 部和底部;沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层;沿着第二沟槽的侧部和底部形 成第二电介质层;分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电 ...
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