技术编号：9573341
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，在硅(100)衬底上制备的倒金字塔微腔结构广泛地应用于太阳能电池、光波导天线、三维结构材料等领域，其主要利用了硅的各向异性腐蚀，关于这方面的研究有很多，其制备工艺主要利用紫外光刻和电子束光刻的方法。2013年11月6日提交的中国专利申请N0.201310545347.X公开了一种利用紫外光刻方法制备倒金字塔结构模板的方法。但是，这种倒金字塔微腔是没有顶盖的敞口结构，限制了其应用的范围，而对这种微腔结构顶盖及开口的制备方法至今还未见报道。此外，报道中...
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