技术编号:9580610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件制作过程中,化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish, CMP)工艺是一种常见的用以降低半导体结构表面高度差的平坦化技术,其利用了研磨液的机械性研磨作用和化学腐蚀作用。在具体工艺中,当同时平坦化介电层与较硬的其它材质时,会发现容易在介电层内出现碟形凹陷(dishing)现象,例如同时研磨介电层与介电层内包埋的NM0S晶体管的栅极结构时,由于上述栅极结构上后续会制作金属互连结构以将NM0S晶体管的信号引出,此时,若介电层...
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