技术编号：9580620
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体技术的不断发展，半导体器件的尺寸不断缩小。随着半导体器件的尺 寸缩小，MOS晶体管的接触电阻对于MOS晶体管W及整个半导体芯片的性能影响越来越大。 为了提高半导体芯片的性能，需要降低MOS晶体管的接触电阻。而MOS晶体管的接触电阻 中，由于源极、漏极的面积较小，与金属插塞之间的接触电阻较大，对MOS晶体管的性能影 响较大，使得半导体器件的运行速度大大下降。 自对准娃化物的形成工艺在源极和漏极表面形成金属娃化物可W有效的降低源 极、漏极与金属插塞...
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