技术编号：9580625
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 阳00引高压LDM0S，比如高压N型LDMOS器件，其漏端承受很高的电压，因此它是一种源端 与漏端非对称结构。在常规BCD工艺中，高压LDMOS通常不作L孤和化Io离子注入，因为漏 断的低渗杂漂移区不允许有更高的杂质渗杂，因此源端一般只有重渗杂的源漏渗杂。非对 称LDMOS器件的漏电和CMOS -样，主要取决于漏端高压时源端与沟道的势垒高度。当漏端 加高压时，沟道表面势太高，造成势垒高度下降，引起沟道漏电（即DI化效应，DIBL 化ain In化ced ...
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