技术编号:9580676
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及。背景技术随着集成电路的制作向超大规模集成电路发展,集成电路内部的电路密度越来越大,所包含的元件数量也越来越多,这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线。为了满足元件缩小后的互连线需求,互连金属层的设计成为超大规模集成电路技术所通常采用的一种方法。目前,互连金属层之间的导通是通过导电插塞来实现的。其中,互连金属层与衬底中的CMOS等半导体器件之间的导通是通过接触插塞(contact)实现的。现有技术中,参考图1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。